外観イメージ
三菱電機は13日、SiC(炭化ケイ素)パワー半導体の新工場棟の地鎮祭を熊本県菊池市の建設地で開いた。8インチのウエハーを使ったパワー半導体の前工程を担い、SiCを使う製品の主力工場とする計画だ。設計施工は竹中工務店が担当。4月に本格着工し、2026年4月の稼働を予定している。
施設規模はS造6階建て延べ4万2092㎡。メガトラス構造にすることで生産エリアを広く確保し、柔軟に装置レイアウトをできるようにする。また、免震構造を採用し、生産継続性を向上させる。
クリーンルームには、旋回流誘引型成層空調システム(TCR-SWIT)に加え、生産装置や付帯設備の排熱を徹底して回収・再利用することで冷却・加熱エネルギーを削減し従来空調方式比の約30%の省エネルギー化を実現する。節水の取り組みでは、洗浄槽の小型化やシャワー洗浄方式の採用などで純水の使用量を削減する。さらに、徹底した廃水回収・再利用により水の回収率を高める。
苅初の儀を行う竹見本部長
為平所長の支える杭を打つ 田ノ畑副社長
神事では三菱電機の竹見政義上席執行役員半導体・デバイス事業本部長による苅初(かりそめ)の儀に続き、竹中工務店の田ノ畑好幸取締役兼執行役員副社長が為平隆司作業所長の支える杭を力強く打ち込み、工事中の安全と無事竣工を祈願した。
建設地は菊池市泗水町住吉1576-1。三菱電機は、同県合志市にある既存工場の設備増強も適宜進めており、今回の新工場棟と合わせ1000億円を同県内の施設整備に投資する計画だ。